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BSM150GAL120DN2 / IGBT 模块 1200V 150A CHOPPER
BSM150GAL120DN2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

商标:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:210 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:Half Bridge GAL 2

栅极/发射极最大电压:20 V

安装风格:Screw

Pd-功率耗散:1.25 kW

工厂包装数量:500

供应商BSM150GAL120DN2
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