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BSM150GT120DN2 / IGBT 模块 1200V 150A TRIPACK
BSM150GT120DN2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

商标:Infineon Technologies

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:200 A

栅极—射极漏泄电流:320 nA

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:EconoPACK 3A

栅极/发射极最大电压:20 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:Screw

Pd-功率耗散:1.25 kW

工厂包装数量:10

供应商BSM150GT120DN2
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BSM150GT120DN2IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO182.0 Kbytes共9页BSM150GT120DN2的PDF下载地址BSM200GT120DN2,BSM75GD120DN2,BSM100GD120DN2,BSM15GD120D2,BSM15GD60DN2,BSM25GD120D2,BSM35GD120D2,BSM50GD120DN2,BSM50GD120DN2E3226,BSM50GD120DN2G
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