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BSM100GD120DN2 /IGBT 模块 1200V 100A FL BRIDGE
BSM100GD120DN2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.5 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:680 W

封装 / 箱体:EconoPACK 3A

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

高度:17 mm

长度:122 mm

宽度:62 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365

供应商BSM100GD120DN2
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