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BSC200P03LSG / MOSFET P-Ch -30V -12.5A TDSON-8 OptiMOS P
BSC200P03LSG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:- 12.5 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:18 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:33 ns

系列:OptiMOS P

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:34 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:BSC200P03LSGAUMA1

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