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BSC12DN20NS3G /MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC12DN20NS3G的规格信息
BSC12DN20NS3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:11.3 A

Rds On-漏源导通电阻:108 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:6 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:BSC12DN20NS3GATMA1 SP000781774

供应商BSC12DN20NS3G
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Mouser 贸泽电子		BSC12DN20NS3GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 31:¥8.9157
10:¥7.6614
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