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BSC13DN30NSFDATMA1 /MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC13DN30NSFDATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:114 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:OptiMOS Fast Diode

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:19 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:BSC13DN30NSFD SP000854374

单位重量:600 mg

供应商BSC13DN30NSFDATMA1
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSC13DN30NSFDATMA1华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市芯幂科技有限公司BSC13DN30NSFDATMA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSC13DN30NSFDATMA1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSC13DN30NSFDATMA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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BSC13DN30NSFDATMA1MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO921.98 Kbytes共11页BSC13DN30NSFDATMA1的PDF下载地址
BSC13DN30NSFDATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO921.98 Kbytes共11页BSC13DN30NSFDATMA1的PDF下载地址
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BSC13DN30NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥15.2889
500:¥13.3679
5,000:¥9.9101
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BSC13DN30NSFDATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道1+:¥29.4
10+:¥25.52
30+:¥24.81
100+:¥24.09
500+:¥23.78
1000+:¥23.38