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BSC160N10NS3GATMA1 /MOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC160N10NS3GATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:13.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:21 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:BSC160N10NS3 BSC16N1NS3GXT G SP000482382

单位重量:300 mg

供应商BSC160N10NS3GATMA1
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BSC160N10NS3GATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 33uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO545.63 Kbytes共10页BSC160N10NS3GATMA1的PDF下载地址
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BSC160N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 31:¥7.91
10:¥6.8026
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1,000:¥3.6499
5,000:¥3.6499
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BSC160N10NS3GATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 33uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.61
10+:¥3.47
30+:¥3.27
100+:¥3.06
500+:¥2.97
1000+:¥2.92