FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta），22.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：73.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3670pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 22.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：PG-TDSON-8

通道类型：P

最大连续漏极电流：22.5 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：0.013 0hms

最大栅源电压：-25 V、+25 V

封装类型：TDSON

晶体管配置：单

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：69 W

最高工作温度：+150 °C

长度：6.1mm

最低工作温度：-55 °C

高度：1.1mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：39S

正向二极管电压：1.2V

系列：OptiMOS P

尺寸：6.1 x 5.35 x 1.1mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：54.9 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：2760 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：43.5 ns

典型接通延迟时间：11.4 ns

宽度：5.35mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs