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BSC123N08NS3G / MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC123N08NS3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:55 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:12.3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:4 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:18 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GXT SP000443916

供应商BSC123N08NS3G
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BSC123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 31:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.3223
1,000:¥4.1923
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BSC123N08NS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 33uA 漏源导通电阻:12.3mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥4.82
10+:¥3.48
30+:¥3.24
100+:¥2.99
500+:¥2.88
1000+:¥2.83