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BSC110N06NS3G / MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:6 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:77 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GXT SP000453668

供应商BSC110N06NS3G
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BSC110N06NS3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.3304
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Digi-Key 得捷电子
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8$1.04000
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Mouser 贸泽电子
BSC110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 31:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3166
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
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BSC110N06NS3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 23uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.23
10+:¥2.39
30+:¥2.24
100+:¥2.09
500+:¥2.02
1000+:¥1.99