| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Am2 | BSC0902NS | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 100A | 5000+:￥3.11
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Arrow(艾睿) | BSC0902NS | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 100A | 5000+:￥3.11
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|
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|
Chip1Stop | BSC0902NSI | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
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10,000:查看
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Newark element14 | BSC0902NS | Infineon Technologies AG | *** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, 8TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V ;RoHS Compliant: Yes | 100 : $0.609
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|
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|
RS_hk(欧时香港) | BSC0902NS | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 100A | 5000+:￥3.11
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Verical | BSC0902NSI | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 100A | 5000+:￥3.37
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Verical | BSC0902NSI | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP | $1.6771
|
立创商城 | BSC0902NS | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 | 1+:￥5.13
10+:￥5
30+:￥4.9
100+:￥4.81
|
立创商城 | BSC0902NSATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOS(场效应管) | 1+:￥7.21
10+:￥7.02
30+:￥6.89
100+:￥6.76
|
立创商城 | BSC0902NSI | Infineon(英飞凌) | MOS(场效应管) | 1+:￥4.84
200+:￥1.88
500+:￥1.81
1000+:￥1.78
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