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BSC0901NSATMA1 /Infineon OptiMOS 系列 N沟道 MOSFET BSC0901NSATMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
BSC0901NSATMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):44nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2800pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:15V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 30A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TDSON-8

封装/外壳:PG-TDSON-8

通道类型:N

最大连续漏极电流:100 A

最大漏源电压:30 V

最大漏源电阻值:2.4 m0hms

最大栅阈值电压:2V

最小栅阈值电压:1.2V

最大栅源电压:+20 V

封装类型:TDSON

引脚数目:8

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:69 W

正向跨导:140S

最低工作温度:-55 °C

正向二极管电压:1V

每片芯片元件数目:1

尺寸:5.35 x 6.35 x 1.1mm

宽度:6.35mm

系列:OptiMOS

典型栅极电荷@Vgs:44 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:2800 pF @ 15 V

典型关断延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

高度:1.1mm

最高工作温度:+150 °C

长度:5.35mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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