FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):44nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2800pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:15V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 30A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TDSON-8
封装/外壳:PG-TDSON-8
通道类型:N
最大连续漏极电流:100 A
最大漏源电压:30 V
最大漏源电阻值:2.4 m0hms
最大栅阈值电压:2V
最小栅阈值电压:1.2V
最大栅源电压:+20 V
封装类型:TDSON
引脚数目:8
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:69 W
正向跨导:140S
最低工作温度:-55 °C
正向二极管电压:1V
每片芯片元件数目:1
尺寸:5.35 x 6.35 x 1.1mm
宽度:6.35mm
系列:OptiMOS
典型栅极电荷@Vgs:44 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:2800 pF @ 15 V
典型关断延迟时间:28 ns
典型接通延迟时间:5.4 ns
高度:1.1mm
最高工作温度:+150 °C
长度:5.35mm
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs