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BSC080N03LSGATMA1 /MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC080N03LSGATMA1的规格信息
BSC080N03LSGATMA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:53 A

Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:21 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:2.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:3.3 ns

零件号别名:BSC080N03LS BSC8N3LSGXT G SP000275114

单位重量:111 mg

供应商BSC080N03LSGATMA1
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Mouser 贸泽电子		BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 31:¥5.1528
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