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BSC082N10LSG / MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC082N10LSG的规格信息
BSC082N10LSG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:13.8 A

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Rds On-漏源导通电阻:8.2 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:12 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:24 ns

系列:OptiMOS 2

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:53 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGXT SP000379609

供应商BSC082N10LSG
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Avnet Express		BSC082N10LSGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $1.1478
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Digi-Key 得捷电子		BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON$2.78000
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Wuhan P&S		BSC082N10LSGInfineon Technologies AG100V,100A,N Channel Power MOSFET1 : $2.62
100 : $2.23
1,000 : $1.96
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