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BSC024NE2LSATMA1 /MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC024NE2LSATMA1的规格信息
BSC024NE2LSATMA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:55 S

下降时间:2.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.6 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:4.1 ns

零件号别名:BSC024NE2LS BSC24NE2LSXT SP000756342

单位重量:118 mg

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