制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:48 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:65 S

下降时间:3.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:5.2 ns

零件号别名:BSC018NE2LSIATMA1 SP000906030