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BSC022N03S /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSC022N03S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),100A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7490pF @ 15V

功率 - 最大值:104W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:P-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称:BSC022N03STSP000014713

供应商BSC022N03S
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC022N03Swww.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城BSC022N03S深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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Quest Components
BSC022N03SInfineon Technologies AG 28 A, 30 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET13 : $1.7075
3 : $2.049
1 : $2.732