BSC018NE2LSI的供应商，BSC018NE2LSI规格参数，BSC018NE2LSI的PDF资料

BSC018NE2LSI /MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC018NE2LSI的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:48 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:65 S

下降时间:3.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:5.2 ns

零件号别名:BSC018NE2LSIATMA1 BSC18NE2LSIXT SP000906030

单位重量:118.400 mg

BSC018NE2LSI

BSC018NE2LSI的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	BSC018NE2LSI	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市威雅利发展有限公司	BSC018NE2LSI	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市坤融电子有限公司	BSC018NE2LSI	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	BSC018NE2LSI	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
集好芯城	BSC018NE2LSI	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	BSC018NE2LSI	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
深圳市仓实科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	BSC018NE2LSI	赛格科技园2栋1008	13148740189/ 19520735817/13632918917 13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917	文小姐，米小姐，朱小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市赛美科科技有限公司	BSC018NE2LSI	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	BSC018NE2LSI	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BSC018NE2LSI	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	BSC018NE2LSI	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市清腾科技有限公司	BSC018NE2LSI	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋319	0755-83993052 18390902447	刘先生	询价

BSC018NE2LSI及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
BSC018NE2LSI	OptiMOSTM Power-MOSFET	INFINEON[Infineon Technologies AG]	682.39 Kbytes	共10页	无
BSC018NE2LSIATMA1	MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8	Infineon Technologies	1.92 Mbytes	共13页	无
BSC018NE2LSIATMA1	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON	Infineon Technologies	1.92 Mbytes	共13页	无

BSC018NE2LSI的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Avnet Express	BSC018NE2LSI	Infineon Technologies AG	INFBSC018NE2LSI WISTRON SP000906030	5,000 : $1.177
Digi-Key 得捷电子	BSC018NE2LSI	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8	10 : $0.973 1 : $1.09
Digi-Key 得捷电子	BSC018NE2LSI	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1+:￥11.83 10+:￥10.7 25+:￥9.58 100+:￥8.62 250+:￥7.65 500+:￥6.6899 1000+:￥5.54 2500+:￥5.17
Digi-Key 得捷电子	BSC018NE2LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON	$1.31000
Mouser 贸泽电子	BSC018NE2LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6105 500:¥5.8421 1,000:¥4.6104 5,000:¥4.6104
Mouser 贸泽电子	BSC018NE2LSIXT	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6105 500:¥5.8421 5,000:¥4.0906 10,000:查看
Rochester	BSC018NE2LSI	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1+:￥11.83 10+:￥10.7 25+:￥9.58 100+:￥8.62 250+:￥7.65 500+:￥6.6899 1000+:￥5.54 2500+:￥5.171+:￥5.23 25+:￥5.1801 50+:￥5.13 100+:￥5.09 300+:￥5 500+:￥4.95 1000+:￥4.9 5000+:￥4.88
Rochester Electronics	BSC018NE2LSI	Infineon Technologies AG	N/A	500 : $0.53 1,000 : $0.5
立创商城	BSC018NE2LSI	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：1.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道	1+:￥6.29 200+:￥2.44 500+:￥2.35 1000+:￥2.31

BSC018NE2LSI的相关型号