系列：OptiMOS™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：22A（Ta），90A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 102µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：143nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：12000pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2.2W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.8 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：MG-WDSON-2

封装形式Package：WDSON

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：22A

漏源电压（Vdss）：60V

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M™

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs