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BSB012N03LX3G / MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
BSB012N03LX3G的规格信息
BSB012N03LX3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:39 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Dual Source

下降时间:8.4 ns

最小工作温度:- 40 C

上升时间:8.6 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:47 ns

典型接通延迟时间:7.9 ns

零件号别名:BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846

供应商BSB012N03LX3G
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