制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:31 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:1.9 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Drain Dual Source

下降时间:6.4 ns

最小工作温度:- 40 C

上升时间:7.8 ns

工厂包装数量:5000

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSB019N03LXGXT