| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Avnet Express | BSB013NE2LXI | Infineon Technologies Americas Inc. | SP000756346_N-KANAL POWER MOS_TR_RO | 5,000 : $1.625
20,000 : $1.4445
45,000 : $1.0834
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Digi-Key 得捷电子 | BSB013NE2LXI | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | 10 : $1.704
1 : $1.9
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Digi-Key 得捷电子 | BSB013NE2LXI | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 25V MOSFET | 5000+:￥5.93
10000+:￥5.6899
25000+:￥5.61
50000+:￥5.47 |
Digi-Key 得捷电子 | BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON | $2.04000 |
Mouser 贸泽电子 | BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS | 1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
5,000:¥6.0003
10,000:查看
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Mouser 贸泽电子 | BSB013NE2LXI | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 25V MOSFET | 5000+:￥5.93
10000+:￥5.6899
25000+:￥5.61
50000+:￥5.471+:￥11.1801
10+:￥9.0299
100+:￥7.19
500+:￥7.19
1000+:￥6.72
2500+:￥6.17
5000+:￥6.11
10000+:￥5.87
25000+:￥5.8401 |
立创商城 | BSB013NE2LXI | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：163A(Tc) 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥14.52
200+:￥5.62
500+:￥5.42
1000+:￥5.33
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