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BSB008NE2LXXT /MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
BSB008NE2LXXT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:180 A

Rds On-漏源导通电阻:600 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:343 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:89 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:6.35 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.05 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:120 S

下降时间:32.4 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:47.2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:12.6 ns

零件号别名:BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866

供应商BSB008NE2LXXT
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