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BF999 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:30 mA

Vds-漏源极击穿电压:20 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :6.5 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.016 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET

供应商BF999
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BF999E6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO60.21 Kbytes共6页BF999E6327的PDF下载地址
BF999E6327HTSA1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET TriodeInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO59.44 Kbytes共6页BF999E6327HTSA1的PDF下载地址
BF999E6327HTSA1MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO60.21 Kbytes共6页BF999E6327HTSA1的PDF下载地址
BF999E6327HTSA1MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO60.21 Kbytes共6页BF999E6327HTSA1的PDF下载地址
BF999E6433HTMA1MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO60.21 Kbytes共6页BF999E6433HTMA1的PDF下载地址
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BF999E6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23$0.17832
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Digi-Key 得捷电子
BF999E6433HTMA1Infineon TechnologiesRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, SI$0.09000
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Mouser 贸泽电子
BF999E6327HTSA1Infineon Technologies射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode1:¥3.3787
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100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
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BF999Siemens VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET10,001 : $0.132
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1 : $0.6
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BF999E6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道5+:¥0.810298
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150+:¥0.577637
500+:¥0.541534
2500+:¥0.525489
5000+:¥0.51756