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BF992,215 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 mA

Vds-漏源极击穿电压:20 V, 20 V

Rds On-漏源导通电阻:-

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143B-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single Dual Gate

高度:1 mm

长度:3 mm

类型:RF Small Signal MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:NXP Semiconductors

通道模式:Depletion

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, 20 V

零件号别名:933615000215

单位重量:9 mg

供应商BF992,215
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BF992,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF3000+:¥1.59
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Mouser 贸泽电子
BF992,215NXP Semiconductors射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF1:¥5.1528
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RS(欧时)
BF992,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF3000+:¥1.59
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Verical
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