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BF998R / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:30 mA

Vds-漏源极击穿电压:12 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 8 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143R

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.024 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 W

类型:RF Small Signal MOSFET

供应商BF998R
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BF998R,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS1+:¥1.3499
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BF998R,235NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1.3499
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