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BF998 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BF998的规格信息
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制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:30 mA

Vds-漏源极击穿电压:12 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 8 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.024 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 W

类型:RF Small Signal MOSFET

供应商BF998
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现代芯城(深圳)科技有限公司BF998www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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18948794636
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集好芯城BF998深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司BF998深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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18126117392
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深圳市坤融电子有限公司BF998航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
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深圳市凌特半导体科技有限公司BF998,215广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
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深圳市河锋鑫科技有限公司BF998,215华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
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集好芯城BF998深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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深圳市佳威星科技有限公司BF998E6327HTSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市大源实业科技有限公司BF998深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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BF998N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO155.83 Kbytes共9页BF998的PDF下载地址BF964S,BF966S,BF988,BF994S,BF995,BF961,BF996S,BF960,ALD114804,ALD114813
BF998Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO180.2 Kbytes共8页BF998的PDF下载地址BF2000W,BF1012W,BF998R,BF998W,BF994S,BF996S,BF2030,BF2030W,BF995,BF2040
BF998Silicon N-Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO249.05 Kbytes共6页BF998的PDF下载地址BF1005,BF1005S,BF1009,BF1005,BF1009S,BF1005S,BF2030,BF1009S,BF998R,BF5030W
BF998N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO318.61 Kbytes共10页BF998的PDF下载地址BF996S,ZXMN2088DE6,IXTP02N50D,CEM3138,DMN2004VK,P2804HVG,AO6810,3SK317,CEM3178
BF998Silicon N_Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO93.08 Kbytes共9页BF998的PDF下载地址
BF998RF Manual 16th edition NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO9375.07 Kbytes共130页BF998的PDF下载地址
BF998Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz. TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO146.68 Kbytes共2页BF998的PDF下载地址
BF998,215MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143BNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO279.55 Kbytes共15页BF998,215的PDF下载地址
BF998,235MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO279.55 Kbytes共15页BF998,235的PDF下载地址
BF998_07Silicon N_Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO93.08 Kbytes共9页BF998_07的PDF下载地址
BF998_08N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO318.61 Kbytes共10页BF998_08的PDF下载地址BF996S,ZXMN2088DE6,IXTP02N50D,CEM3138,DMN2004VK,P2804HVG,AO6810,3SK317,CEM3178
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BF998_2015Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs JMNIC[Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.]JMNIC[Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.]的LOGO85.28 Kbytes共12页BF998_2015的PDF下载地址
BF998AN-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO155.83 Kbytes共9页BF998A的PDF下载地址BF964S,BF966S,BF988,BF994S,BF995,BF961,BF996S,BF960,ALD114804,ALD114813
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BF998A-GS08N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO318.61 Kbytes共10页BF998A-GS08的PDF下载地址BF996S,ZXMN2088DE6,IXTP02N50D,CEM3138,DMN2004VK,P2804HVG,AO6810,3SK317,CEM3178
BF998BN-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO155.83 Kbytes共9页BF998B的PDF下载地址BF964S,BF966S,BF988,BF994S,BF995,BF961,BF996S,BF960,ALD114804,ALD114813
BF998E6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO142.45 Kbytes共9页BF998E6327的PDF下载地址
BF998E6327HTSA1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mAInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO89.94 Kbytes共9页BF998E6327HTSA1的PDF下载地址
BF998E6327HTSA1MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO142.45 Kbytes共9页BF998E6327HTSA1的PDF下载地址
BF998E6327HTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO90.94 Kbytes共9页BF998E6327HTSA1的PDF下载地址
BF998RSilicon N-channel dual-gate MOS-FETs PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO114.27 Kbytes共12页BF998R的PDF下载地址3SK135A,BF1212,BF1101,BF1105,BF1109,BF901,BF1201,BF1202,BF1211,BF990A
BF998RN-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO155.83 Kbytes共9页BF998R的PDF下载地址BF964S,BF966S,BF988,BF994S,BF995,BF961,BF996S,BF960,ALD114804,ALD114813
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BF998RSilicon N-Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO249.05 Kbytes共6页BF998R的PDF下载地址BF1005,BF1005S,BF1009,BF1005,BF1009S,BF1005S,BF2030,BF1009S,BF998R,BF5030W
BF998RN-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO318.61 Kbytes共10页BF998R的PDF下载地址BF996S,ZXMN2088DE6,IXTP02N50D,CEM3138,DMN2004VK,P2804HVG,AO6810,3SK317,CEM3178
BF998RSilicon N_Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO93.08 Kbytes共9页BF998R的PDF下载地址
BF998RRF Manual 16th edition NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO9375.07 Kbytes共130页BF998R的PDF下载地址
BF998RLow noise gain controlled amplifier up to 1 GHz. TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO146.68 Kbytes共2页BF998R的PDF下载地址
BF998的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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BF998WR,115NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
1000+:¥1.24
3000+:¥1.1799
9000+:¥1.09
24000+:¥1.06
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10+:¥4.98
50+:¥4.91
100+:¥4.8350+:¥1.9901
200+:¥1.95
500+:¥1.91
1000+:¥1.871+:¥1.3499
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BF998NXP Semiconductors价格未公开
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BF998RSiemens价格未公开
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BF998,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 12V VHF/UHF1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
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24000+:¥1.06
45000+:¥1.04
99000+:¥13000+:¥1.23
6000+:¥1.23
15000+:¥1.1510+:¥1.73
50+:¥1.43
100+:¥1.37
500+:¥1.23
1000+:¥1.1
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ChipOneStop
BF998WR,115NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
1000+:¥1.24
3000+:¥1.1799
9000+:¥1.09
24000+:¥1.06
45000+:¥1.04
99000+:¥15+:¥5.05
10+:¥4.98
50+:¥4.91
100+:¥4.83
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Digi-Key 得捷电子
BF998,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 12V VHF/UHF1+:¥2.78
10+:¥1.83
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24000+:¥1.06
45000+:¥1.04
99000+:¥1
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Digi-Key 得捷电子
BF998,235NXP USA Inc.MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
BF998,235NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1.3499
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Digi-Key 得捷电子
BF998E6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143$0.51000
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BF998R,215NXP USA Inc.MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143RObsolete
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BF998R,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS1+:¥1.3499
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Digi-Key 得捷电子
BF998RE6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
BF998WR,115NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
1000+:¥1.24
3000+:¥1.1799
9000+:¥1.09
24000+:¥1.06
45000+:¥1.04
99000+:¥1
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element14 Asia-Pacific
BF998NXP SemiconductorsMOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143B
RoHS : Compliant
1 : $0.773
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element14 e络盟电子
BF998,215NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 12V VHF/UHF1+:¥2.78
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15000+:¥1.15
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Mouser 贸泽电子
BF998E6327HTSA1Infineon Technologies射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
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Mouser 贸泽电子
BF998R,235NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥1.3499
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
BF998Infineon Technologies AG UHF BAND, SI, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-143, 4 PIN239 : $0.14
30 : $0.21
1 : $0.7
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
BF998NXP Semiconductors MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-1432,001 : $0.15
168 : $0.2
1 : $1.0
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
BF998Siemens UHF BAND, SI, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET7,620 : $0.0875
2,858 : $0.105
1 : $0.7
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
BF998RVishay Semiconductors MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-143R151 : $0.24
32 : $0.4
1 : $0.8
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RS Components
BF998NXP SemiconductorsRF MOSFET N-Ch 12V 30mA Dual Gate SOT143价格未公开
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
BF998WR,115NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
1000+:¥1.24
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10+:¥4.98
50+:¥4.91
100+:¥4.8350+:¥1.9901
200+:¥1.95
500+:¥1.91
1000+:¥1.87
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Verical
BF998WR,115NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS1+:¥2.78
10+:¥1.83
100+:¥1.32
1000+:¥1.24
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100+:¥4.8350+:¥1.9901
200+:¥1.95
500+:¥1.91
1000+:¥1.871+:¥1.34991+:¥6.27
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BF998E6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道5+:¥0.745855
50+:¥0.564929
150+:¥0.531698
500+:¥0.498466
2500+:¥0.483697
5000+:¥0.476399
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
BF998E6327HTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道5+:¥0.774818
50+:¥0.582571
150+:¥0.547261
500+:¥0.51195
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5000+:¥0.488502