制造商:Vishay
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流:0.03 A
Vds-漏源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 8 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-50
封装:Reel
商标:Vishay Semiconductors
最小工作温度:- 55 C
Pd-功率耗散:200 mW
类型:RF Small Signal MOSFET