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BF966SA / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-Ch Dual Gate MOSFET, TO-50

BF966SA的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:0.03 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 8 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-50

封装:Reel

商标:Vishay Semiconductors

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET

BF966SA

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BF966SA	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
上海网智商贸有限公司	BF966SA	上海市普陀区丹巴路28弄36号旭辉世纪广场6号楼908室	021-32500330，13916909260 13916909260	黄小姐	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BF966SA	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	BF966SA	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	BF966SA	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
盛信伟业（深圳）科技有限公司	BF966SA	深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A	19926488141 19926488141	赵伟滨	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
BF966SA	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode	VISHAY[Vishay Siliconix]		161.09 Kbytes	共8页		无

BF966SA的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
element14 Asia-Pacific	BF966SA	Vishay Semiconductors	; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Re RoHS : Compliant	1 : $4.7 250 : $3.5 500 : $3.2 1,000 : $2.7

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