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BF966SA / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-Ch Dual Gate MOSFET, TO-50
BF966SA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:0.03 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 8 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-50

封装:Reel

商标:Vishay Semiconductors

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET

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