数据列表:APTM10UM01FAG Power Products Catalog
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 模块
系列:-
包装:散装
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):860A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 275A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):60000pF @ 25V
功率 - 最大值:2500W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
其它名称:APTM10UM01FAGMIAPTM10UM01FAGMI-ND