制造商:Microchip

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SP-32

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

配置:Single

高度:11.5 mm

长度:73.4 mm

宽度:40.8 mm

商标:Microchip / Microsemi

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

下降时间:125 ns

Id-连续漏极电流:70 A

Pd-功率耗散:208 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

上升时间:70 ns

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

商标名:POWER MOS V

典型关闭延迟时间:95 ns

典型接通延迟时间:35 ns

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V