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APTM10DUM05TG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APTM10DUM05TG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 模块

系列:-

包装:散装

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):278A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 125A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):700nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20000pF @ 25V

功率 - 最大值:780W

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP4

供应商器件封装:SP4

供应商APTM10DUM05TG
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APTM10DUM05TGDual common source MOSFET Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO286.96 Kbytes共6页APTM10DUM05TG的PDF下载地址APTC60TDUM35PG,APTM10DUM02G,APTC80TDU15PG,APTM08TDUM04PG,APTGF100DU120TG,APTGT100TDU60PG,APTGF150DU120TG,APTGT150DU60TG,APTGF180DU60TG,APTGT150DU120G
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