制造商:Microchip

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SP-6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

配置:Single

高度:15 mm

长度:108 mm

宽度:62 mm

商标:Microchip / Microsemi

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

下降时间:55 ns

Id-连续漏极电流:215 A

Pd-功率耗散:5 kW

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

商标名:POWER MOS 7

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:18 ns

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

单位重量:110 g