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APTM100UM45DAG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APTM100UM45DAG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APTM100UM45DAG Power Products Catalog

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 模块

系列:POWER MOS 7®

包装:散装

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):215A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 107.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1602nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):42700pF @ 25V

功率 - 最大值:5000W

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP6

供应商器件封装:SP6

供应商APTM100UM45DAG
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10+:¥2375.02
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APTM100UM45DAGMicrosemi CorporationPOWER MODULE - MOSFET - Bulk50 : $249.3529
99 : $248.9516
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100+:¥1852.73
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APTM100UM45DAGMicrosemi CorporationPower Module - Mosfet SP6C
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Richardson RFPD
APTM100UM45DAGMicrosemi CorporationPOWER MOSFET TRANSISTOR1 : $350.34
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