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APTCV50H60T3G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTCV50H60T3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:176 W

封装 / 箱体:SP3-32

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APTCV50H60T3G
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深圳市安富世纪电子有限公司APTCV50H60T3G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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500+:¥343.511+:¥391.61
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APTCV50H60T3GMicrosemi CorporationPOWER MODULE - IGBT - Bulk50 : $47.9233
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APTCV50H60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 80A 176W SP3$73.54000
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APTCV50H60T3GMicrosemiIGBT 模块 Power Module - IGBT100:¥509.8334
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APTCV50H60T3GMicrosemi CorporationPower Module - IGBT SP3
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