FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：540nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13600pF @ 100V
FET 功能：超级结
功率耗散（最大值）：462W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 52A、 10V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
供应商器件封装：SP1
封装/外壳：SP1
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs