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APTC90DSK12T1G /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APTC90DSK12T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 模块

系列:CoolMOS??

包装:托盘

FET 类型:2 N 沟道(双路降压斩波器)

FET 功能:超级结

漏源极电压(Vdss):900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 100V

功率 - 最大值:250W

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP1

供应商器件封装:SP1

供应商APTC90DSK12T1G
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深圳市芯幂科技有限公司APTC90DSK12T1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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