FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：超级结

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：59A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 52A、 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 6mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：540nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13600pF @ 100V

功率 - 最大值：462W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs