FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能：超级结

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：270nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6800pF @ 100V

功率 - 最大值：250W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP4

供应商器件封装：SP4

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs