数据列表：APTC60HM70T1G

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 模块

系列：-

包装：散装

FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：39A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 39A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 2.7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：259nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7000pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1