FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：39A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 39A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：259nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 25V
功率 - 最大值：250W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP3
供应商器件封装：SP3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs