APTC60DDAM45CT1G
/ Trans MOSFET N-CH 600V 49A 10-Pin Case SP-1
APTC60DDAM45CT1G的规格信息
包装:10Case SP-1
通道模式:Enhancement
最大漏源电压:600 V
最大连续漏极电流:49 A
RDS -于:45@10V mOhm
最大门源电压:±20 V
典型导通延迟时间:21 ns
典型上升时间:30 ns
典型关闭延迟时间:100 ns
典型下降时间:45 ns
工作温度:-40 to 150 °C
安装:Screw
标准包装:Bulk
系列:*
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
APTC60DDAM45CT1G
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APTC60DDAM45CT1G | Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | MICROSEMI[Microsemi Corporation] | ![MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO](/PdfSupLogo/100MICROSEMI.GIF) | 258.65 Kbytes | 共7页 |  | 无 |