APTC60DSKM70CT1G
/ Trans MOSFET N-CH 600V 39A 10-Pin Case SP-1
APTC60DSKM70CT1G的规格信息
包装:10Case SP-1
通道模式:Enhancement
最大漏源电压:600 V
最大连续漏极电流:39 A
RDS -于:70@10V mOhm
最大门源电压:±20 V
典型导通延迟时间:21 ns
典型上升时间:30 ns
典型关闭延迟时间:283 ns
典型下降时间:84 ns
工作温度:-40 to 150 °C
安装:Screw
标准包装:Bulk
系列:*
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
APTC60DSKM70CT1G
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APTC60DSKM70CT1G | Dual buck chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode | MICROSEMI[Microsemi Corporation] | ![MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO](/PdfSupLogo/100MICROSEMI.GIF) | 257.22 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
APTC60DSKM70CT1G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | APTC60DSKM70CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Obsolete |