FET 类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）

FET 功能：超级结

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：36A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：83 毫欧 @ 24.5A、 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：250nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7200pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs