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APT94N60L2C3G /MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
APT94N60L2C3G的规格信息
APT94N60L2C3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-264-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:94 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:505 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:833 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:5.21 mm

长度:26.49 mm

宽度:20.5 mm

商标:Microchip / Microsemi

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:10.600 g

供应商APT94N60L2C3G
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佰思特(深圳)供应链管理有限公司APT94N60L2C3G深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦6010755-23570121
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赵军Email:jimmy@chipstock.top询价
深圳市芯幂科技有限公司APT94N60L2C3G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司APT94N60L2C3G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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集好芯城APT94N60L2C3G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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