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APT85GR120B2 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT85GR120B2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT85GR120(B2,L)

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:NPT

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):170A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,85A

功率 - 最大值:962W

开关能量:6mJ(开),3.8mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:660nC

25°C 时 Td(开/关)值:43ns/300ns

测试条件:600V,85A,4.3 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:T-MAX?

供应商APT85GR120B2
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APT85GR120B2American Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥120.44
10+:¥109.51
50+:¥101.3
100+:¥93.0801
250+:¥84.87
500+:¥79.39
1000+:¥72.83
2500+:¥70.08
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APT85GR120B2MicrosemiIGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 81:¥124.2548
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10+:¥109.51
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100+:¥93.0801
250+:¥84.87
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1000+:¥72.83
2500+:¥70.08
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10+:¥85.2301
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50+:¥79.18
100+:¥79.18
250+:¥79.18
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