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APT80GA60B /IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
APT80GA60B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:143 A

Pd-功率耗散:625 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:143 A

高度:21.46 mm

长度:16.26 mm

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

宽度:5.31 mm

商标:Microchip / Microsemi

集电极连续电流:143 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

商标名:POWER MOS 8

单位重量:38 g

供应商APT80GA60B
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APT80GA60BMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - SINGLE - Rail/Tube217 : $6.7419
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APT80GA60BMicrosemi CorporationIGBT 600V 143A 625W TO247500 : $7.28842
250 : $7.99376
100 : $8.6991
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APT80GA60BAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥85.8901
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50+:¥70.4
100+:¥63.5299
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APT80GA60BMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single TO-247 [B]
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