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APT84M50B2 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT84M50B2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:Power Products Catalog APT84M50(B2,L)

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 42A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):340nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13500pF @ 25V

功率 - 最大值:1135W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3 变式

供应商器件封装:T-MAX? [B2]

其它名称:APT84M50B2MIAPT84M50B2MI-ND

供应商APT84M50B2
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集好芯城APT84M50B2深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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APT84M50B2N-Channel MOSFET MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO403.91 Kbytes共4页APT84M50B2的PDF下载地址IXTP02N50D,2SK3613-01,SI1304DL,FQP13N50CF,STB120NF10,STU100N3LF3,30N06,STB80NE03L-06_06,STD38NH02L_06,STK800_0609
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