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APT85GR120J /IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
APT85GR120J的规格信息
APT85GR120J的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:3.5 V

在25 C的连续集电极电流:118 A

栅极—射极漏泄电流:250 nA

Pd-功率耗散:595 W

封装 / 箱体:ISOTOP-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:30 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APT85GR120J
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司APT85GR120J深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯幂科技有限公司APT85GR120J深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城APT85GR120J深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司APT85GR120J深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司APT85GR120J龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司APT85GR120J广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市斌腾达科技有限公司APT85GR120J深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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APT85GR120JMICRO-SEMI1+:¥247.16
10+:¥228.64
50+:¥210.0999
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10+:¥206.81
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APT85GR120JAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品1+:¥247.16
10+:¥228.64
50+:¥210.0999
100+:¥195.27
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500+:¥170.56
1000+:¥160.66
2500+:¥155.72
5000+:¥152.02
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
APT85GR120JMICRO-SEMI1+:¥247.16
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1000+:¥200.43
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APT85GR120JD60MicrosemiIGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 81:¥394.8785
5:¥381.5897
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APT85GR120JD60MICRO-SEMI1+:¥222.71
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