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APT8024JLL /800V, 29A, 0.24 OHM, ISOTOP
APT8024JLL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:POWER MOS 7®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):29A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):160nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4670pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):460W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):240 毫欧 @ 14.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

封装形式Package:SOT-227

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:800V

连续漏极电流ID:29A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商APT8024JLL
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APT8024JLLPower MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO69.79 Kbytes共2页APT8024JLL的PDF下载地址APT10090BLL,APT5014BFLL,APT50M75B2FLL,APT6021BFLL,APT8014JFLL,APT10026JFLL,APT1201R2BLL,APT20M34BFLL,APT6021BLL,APT8014JLL
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APT8024JLLMicrosemi CorporationPOWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube价格未公开
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APT8024JLLAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 模块 POWER MOS 7® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
APT8024JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 29A ISOTOPObsolete
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Mouser 贸泽电子
APT8024JLLMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS71:¥382.8214
5:¥369.9055
10:¥357.9162
25:¥331.0222