FET 类型：N 沟道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：125nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

功率耗散（最大值）：220W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 32.5A，20V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D3Pak

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs